分析半导体从晶圆到终端器件的状态被认为是高难度的工作，很少有分析设备可以直接用作生产中材料质量好坏的“裁决者"。--表面光电压技术

例如，在硅单晶晶片中，可能存在许多缺陷，这些缺陷可能导致器件加工过程中的产量损失。硅单晶晶片可能含有高浓度的氮，这些氮来自于气泡生长周期或不同的器件加工步骤。氮原子可以在完善的硅晶体中形成取代对，该取代对会严重影响MOS栅极结构的性能，因为该取代在硅片中形成不利的电子态。

HR-SPS设备不但可以测量这些缺陷的存在，还可以测量它们的近似密度。通过这种方式，晶圆批内和晶圆批之间的变化可以通过设备/工具到主机接口协议进行监控和报告，并用于SPC目的。

• 它几乎可以用于任何光活性材料，目前仅有的限制是带隙能量，限制在5.8 eV。

• 基本测量是纳秒级时间分辨的表面光电压信号，具有良好的信噪比和5-6数量级尺度。

• 一次测量大约需要15-30秒，包括信号分析回路。

• 输出可以是任何东西，从一个好的/不好的标准到一个完整的测试材料状态的测量与此同时，当然可以对符合SEMI标准的自动物料处理系统(AMHS)进行任何机械调整。

表面光电压光谱-光化学/光催化水裂解研究3C-和4H-SiC的缺陷和电荷动力学